Lớp phủ PVD là gì?

Trong PVD, vật liệu nguồn đơn chất tinh khiết được khí hóa dạng ion (plasma) thông qua sự bốc hơi bằng phương pháp bắn điện dưới điện trường có điện áp cao, hoặc bằng laser hoặc bằng các kỹ thuật khác. Sau đó, khí ion này sẽ ngưng tụ trên vật liệu nền (carbide nền) để tạo ra lớp phủ mong muốn. Không có phản ứng hóa học diễn ra trong toàn bộ quá trình mà là tích lớp các hạt điện tích tương ứng của các chất nguyên liệu phủ mà thôi.

Lớp phủ CVD là gì?

Trong khi đó phương pháp phủ CVD, thì nguyên liệu là hợp chất của chất phủ và chất mang cùng phụ gia để giúp tăng tốc và tạo điều kiện phản ứng hoá học xảy tra trên bề mặt vật liệu nền (carbide nền). chất mang rất dễ bay hơi. Hợp chất này được đưa vào buồng phản ứng có chất nền (carbide nền, tools cần phủ) và được kết tụ lên đó. Khi hợp chất đã được kết dính với chất nền (carbide nền), tiền chất cuối cùng sẽ phân hủy và để lại lớp phủ mong muốn của vật liệu nguồn lên chất nền. Phụ phẩm sau phản ứng được lấy ra khỏi buồng phản ứng thông qua dòng khí. Phản ứng có thể được hỗ trợ hoặc tăng tốc thông qua việc sử dụng nhiệt, plasma hoặc các quá trình khác.

Cho dù đó là CVD hoặc PVD, kết quả cuối cùng về cơ bản là giống nhau vì cả hai đều tạo ra một lớp vật liệu rất mỏng tùy thuộc vào độ dày mong muốn. CVD và PVD là các kỹ thuật rất rộng với một số kỹ thuật khác. Các quy trình thực tế có thể khác nhau nhưng mục tiêu là như nhau. Một số kỹ thuật có thể tốt hơn trong các ứng dụng nhất định vì chi phí, sự dễ dàng và nhiều lý do khác; do đó chúng được ưa thích trong các lĩnh vực tương ứng đó.

Tóm lược:

1. PVD chỉ sử dụng các quy trình vật lý trong khi CVD chủ yếu sử dụng các quy trình hóa học
2. PVD thường sử dụng vật liệu nguồn thuần tinh khiết đơn chất trong khi CVD sử dụng vật liệu nguồn hợp chất.

Nguồn: Sưu tầm